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S52系列超高精度、大负载压电偏摆台，适用于半导体应用！

更新时间：2025-03-20 11:16:23点击次数：726次
在精密制造、光学检测及半导体加工等高端工业领域，高精度运动控制组件已成为提升生产效能的关键技术支撑。随着工业界对大负载工况下的纳米级运动精度要求不断提高，以及新兴应用场景的持续扩展，兼具高承载能力与纳米级定位精度的压电驱动偏摆台正成为市场需求持续攀升的核心组件。

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芯明天部分大负载压电偏摆台


S52.ZT2S/K系列大负载压电偏摆台


S52.ZT2S/K系列压电偏摆台是一款大负载压电偏摆台，可产生θx、θy两轴偏转及Z向直线运动。它的承载能力可达5kg，闭环重复定位精度可达0.006%F.S.，适用于各种高精度应用领域。同时中心具有55×55mm^2的通孔，适用于透射光应用。

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产品特点

承载能力高
闭环线性度、定位精度高
透光孔55×55mm^2
串联结构耦合小
可选真空版本

典型应用

航天领域空间扰动模拟：在航天器地面验证环节中，空间微扰动环境模拟是确保星载设备可靠性的关键测试项目。基于压电驱动技术的大承载偏摆平台，通过多自由度纳米级动态响应特性，可精准复现太空中微振动、随机偏转等复合扰动工况。科研人员通过搭载被测组件进行动态响应测试，不仅能有效验证姿态稳定系统与光路控制单元的扰动抑制能力，更能通过闭环反馈优化控制参数配置，从而将光学指向精度提升至亚微弧度量级，为深空探测装备的地面可靠性验证提供核心技术保障。

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注：图片来源于网络

半导体晶圆加工检测：随着半导体制造向300mm及以上大尺寸晶圆迭代，晶圆自重引发的重力变形与动态加工振动干扰已成为制约工艺精度的关键瓶颈。基于高刚性压电驱动架构的大承载偏摆平台，在实现大负载能力的同时，仍能保持纳米级重复定位精度与纳弧度级偏摆控制精度。通过压电偏摆台的纳米级多轴协同运动，可精准执行大尺寸晶圆的光刻对准、缺陷扫描及三维形貌检测等关键工序，配合主动抑振算法更能有效抑制加工振动对检测精度的干扰，为先进制程半导体器件的良率提升提供基础性技术保障。

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注：图片来源于网络

超高分辨率显微成像：在生命科学单分子观测与材料科学原子级表征领域，压电驱动纳米定位系统通过θx/θy高精度偏摆与Z轴自适应调焦的协同控制，成功解决了传统显微平台多模态观测需求与运动精度间的固有矛盾。该平台凭借纳弧度偏摆分辨率与毫秒级定位稳定时间特性，配合闭环控制架构，可在活体细胞动态观测中实现纳米级实时追踪精度，使共聚焦显微镜与超分辨成像系统（STED/PALM）突破光学衍射极限，为亚细胞器相互作用研究及新型纳米材料界面分析提供原子尺度的观测保障。

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技术参数

型号
S52.ZT2S/K
运动自由度
θx、θy、Z
驱动控制
8路驱动，8路传感/8路驱动
标称直线行程范围
（0~120V）
174μm
Max.直线行程范围
（0~150V）
217μm
标称偏摆角度
（0~120V）
±1.10mrad/轴
Max.偏摆角度
（0~150V）
±1.37mrad/轴
传感器类型
SGS/-
Z向闭/开环分辨率
3.5nm/2nm
θx、θy闭/开环分辨率
0.14μrad/0.04μrad
Z向闭环线性度
0.013%F.S./-
θx、θy闭环线性度
0.009%F.S./-
Z向闭环重复定位精度
0.009%F.S./-
θx、θy闭环重复定位精度
θx：0.0067%F.S.、
θy：0.006%F.S./-
Z向推力
220N
Z向刚度
1.1N/μm
静电容量
θxθy：7μF、Z：28μF
承载能力
5kg
空载谐振频率
233Hz
带载2.5kg谐振频率
θxθy：63Hz、Z：68Hz
带载2.5kg阶跃时间
θxθy：200ms、Z：300ms
重量（含线）
2.5kg
材质
钢、铝


配套控制器

E00.D12AL-V4机箱式压电控制器非常适用于驱动S52系列压电偏摆台。它具有4通道及8通道版本，带宽达10kHz，均可通过模拟或数字信号进行控制。可通过RS-232/422串口或USB接口进行上位机通信，其输出电压分辨率可达满行程的1/1000000，适用于驱动压电纳米定位台/压电偏摆台等高精度压电执行器。

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